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NXP Semiconductors
PESD3V3L5UK; PESD3V3L5UK
Low capacitance unidirectional fivefold ESD protection diode arrays
10 2
006aac374
1.2
001aaa633
P PP
P PP
P PP(25 ° C)
(W)
0.8
10
0.4
1
1
10
10 2
10 3
t p ( μ s)
10 4
0
0
50
100
150
T j ( ° C)
200
T amb = 25 ° C
Fig 3.
Peak pulse power as a function of exponential
pulse duration; typical values
Fig 4.
Relative variation of peak pulse power as a
function of junction temperature; typical
values
25.0
006aac375
10
006aac376
C d
(pF)
20.0
I RM
15.0
(1)
I RM(25 ° C)
1
(1)
(2)
(1)
10.0
(2)
(2)
5.0
0.0
0.0
2.0
4.0
V R (V)
6.0
10 ? 1
? 75
? 25
0
25
50
T j ( ° C)
75
f = 1 MHz; T amb = 25 ° C
(1) PESD3V3L5UK
(2) PESD5V0L5UK
(1) PESD3V3L5UK
(2) PESD5V0L5UK
Fig 5.
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values
Fig 6.
Relative variation of reverse current as a
function of junction temperature; typical
values
PESD3V3L5UK_PESD5V0L5UK
Product data sheet
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Rev. 1 — 25 August 2010
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